Исследование лазерных свойств стеклянных активных сред в ближнем ИК диапазоне

Создана экспериментальная база и проводятся исследования лазерной генерации на стеклянных активных средах, разрабатываемых на кафедре. 
          В настоящее время, в частности, в условиях продольной полупроводникой накачки продемонстрирована возможность лазерной генерации в непрерывном режиме на легированных ионами  Nd3+ и Er3+ фоторефрактивных стеклах. Лазерная генерация реализована как в оптических схемах с резонаторами с внешними зеркалами, так и на активных элементах, сформированных в виде микрочипов. Пример установки для исследований лазерной генерации с продольной полупроводниковой накачкой на микрочипе Er-Yb-FTR стекла приведены на рис. 1-2.
         Проведенные исследования показали высокое оптическое качество лазерных элементов из фоторефрактивного стекла. Значение мощности лазерной генерации на фоторефрактивных стеклах легированных ионами Nd3+ и Er3+ находилось в диапазоне от нескольких десятков до нескольких сотен милливатт.  В результате анализа генерационных свойств Nd3+- FTR стекол обнаружено, что величина пассивных потерь в них сравнима с потерями в коммерческих кристаллах Nd-YAG. 
 
Установка для лазерной генерации с продольной полупроводниковой накачкой на активном элементе в виде микрочипа из Er-Yb-FTR стекла.
 
Лазерная генерация на микрочипе из Er-Yb-FTR стекла. 
 
На рисунке приведена картина поперечного распределения интенсивности в лазерном  пучке в дальней зоне на активном элементе из Nd3+- FTR стекла. 
 
Изображение поперечного сечения пучка Nd3+- FTR-glass лазера в дальней зоне (слева); распределение интенсивности в поперечном сечении пучка(solid line) и его аппроксимация функцией Гаусса  (dash line) (справа)
 
На рисунке представлены характерные данные по энергетическим и спектральным свойствам  лазерной генерации на микрочипах из  Er-Yb-FTR стекла в условиях продольной полупроводниковой накачки с длиной волны 975 нм. 
 
а- характерные зависимости мощности лазерной генерации на микрочипах из Er-Yb-FTR стекол с различной концентрацией ионов Yb3+ (1,2) от мощности накачки, б-спектры люминесценции (1) и лазерной генерации (2)

Информация © 2015-2017 Университет ИТМО
Разработка © 2015 Департамент информационных технологий